SLP18N50C Todos los transistores

 

SLP18N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLP18N50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 229 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.283 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SLP18N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1346K  maple semi
 slp18n50c slf18n50c.pdf pdf_icon

SLP18N50C

SLP18N50C / SLF18N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 18A, 500V, RDS(on)typ. = 236m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 69nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

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History: 2SK3813-Z | SRM7N65D1-E1 | BUK761R4-30E | BUK761R3-30E | SI4288DY | 2SK1008 | ELM14826AA

 

 
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