SLP18N50C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SLP18N50C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 229 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 43.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.283 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SLP18N50C
SLP18N50C Datasheet (PDF)
slp18n50c slf18n50c.pdf

SLP18N50C / SLF18N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 18A, 500V, RDS(on)typ. = 236m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 69nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching
Другие MOSFET... SLP13N50A , SLF13N50A , SLP13N50C , SLF13N50C , SLP16N50C , SLF16N50C , SLP16N50S , SLF16N50S , IRFZ44 , SLF18N50C , SLP20N50C , SLF20N50C , SLP2N65UZ , SLF2N65UZ , SLP32N20C , SLF32N20C , SLP40N26C .
History: SSF90R240SFD | ELM16800EA | SVF4N60RD
History: SSF90R240SFD | ELM16800EA | SVF4N60RD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent