Справочник MOSFET. SLP18N50C

 

SLP18N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLP18N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 229 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.283 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SLP18N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP18N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1346K  maple semi
 slp18n50c slf18n50c.pdf pdf_icon

SLP18N50C

SLP18N50C / SLF18N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 18A, 500V, RDS(on)typ. = 236m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 69nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

Другие MOSFET... SLP13N50A , SLF13N50A , SLP13N50C , SLF13N50C , SLP16N50C , SLF16N50C , SLP16N50S , SLF16N50S , IRFP460 , SLF18N50C , SLP20N50C , SLF20N50C , SLP2N65UZ , SLF2N65UZ , SLP32N20C , SLF32N20C , SLP40N26C .

History: HM60N03D

 

 
Back to Top

 


 
.