SLF18N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLF18N50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 41 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 69 nC
Tiempo de subida (tr): 43.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 335 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.283 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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SLF18N50C Datasheet (PDF)
slp18n50c slf18n50c.pdf
SLP18N50C / SLF18N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 18A, 500V, RDS(on)typ. = 236m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 69nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching
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