SLF18N50C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLF18N50C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.283 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SLF18N50C datasheet

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SLF18N50C

SLP18N50C / SLF18N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 18A, 500V, RDS(on)typ. = 236m @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 69nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

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