SLF18N50C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SLF18N50C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.283 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SLF18N50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLF18N50C даташит

 ..1. Size:1346K  maple semi
 slp18n50c slf18n50c.pdf pdf_icon

SLF18N50C

SLP18N50C / SLF18N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 18A, 500V, RDS(on)typ. = 236m @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 69nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

Другие IGBT... SLF13N50A, SLP13N50C, SLF13N50C, SLP16N50C, SLF16N50C, SLP16N50S, SLF16N50S, SLP18N50C, IRF1404, SLP20N50C, SLF20N50C, SLP2N65UZ, SLF2N65UZ, SLP32N20C, SLF32N20C, SLP40N26C, SLF40N26C