SLP740UZ Todos los transistores

 

SLP740UZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLP740UZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 193.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 430 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 31.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.64 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SLP740UZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  maple semi
slp740uz slf740uz.pdf

SLP740UZ
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LEAD FREEPbRoHSSLP740UZ/SLF740UZSLP740UZ/SLF740UZ430V N-Channel MOSFETGeneral Description Features- 11A, 430V, RDS(on)typ. = 0.53@VGS = 10 V- Low gate charge ( typical 15.7nC)This Power MOSFET is produced using Maple semis - High ruggednessadvanced planar stripe DMOS technology. - Fast switchingFast switchingThis advanced technology has been especially tailored

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