SLP740UZ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SLP740UZ 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 193.6 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 430 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 31.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm
Тип корпуса: TO220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SLP740UZ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SLP740UZ даташит
slp740uz slf740uz.pdf
LEAD FREE Pb RoHS SLP740UZ/SLF740UZ SLP740UZ/SLF740UZ 430V N-Channel MOSFET General Description Features - 11A, 430V, RDS(on)typ. = 0.53 @VGS = 10 V - Low gate charge ( typical 15.7nC) This Power MOSFET is produced using Maple semi s - High ruggedness advanced planar stripe DMOS technology. - Fast switching Fast switching This advanced technology has been especially tailored
Другие IGBT... SLP60R850S2, SLF60R850S2, SLP65R420S2, SLF65R420S2, SLP70R420S2, SLF70R420S2, SLP70R600S2, SLF70R600S2, SPP20N60C3, SLF740UZ, SLP7N60C, SLF7N60C, SLP7N65C, SLF7N65C, SLP7N70C, SLF7N70C, SLP7N80C
History: AFN3306WS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor

