SLP8N60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLP8N60C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 210 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 29 nC
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SLP8N60C
SLP8N60C Datasheet (PDF)
slp8n60c slf8n60c.pdf
SLP8N60C / SLF8N60C600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 7.5A, 600V, RDS(on) typ. = 1.0@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching
slp8n65c slf8n65c.pdf
SLP8N65C/SLF8N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.2@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchingp
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