SLP8N60C Todos los transistores

 

SLP8N60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLP8N60C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de SLP8N60C MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SLP8N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  maple semi
 slp8n60c slf8n60c.pdf pdf_icon

SLP8N60C

SLP8N60C / SLF8N60C600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 7.5A, 600V, RDS(on) typ. = 1.0@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

 8.1. Size:361K  maple semi
 slp8n65c slf8n65c.pdf pdf_icon

SLP8N60C

SLP8N65C/SLF8N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.2@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchingp

Otros transistores... SLF7N65C , SLP7N70C , SLF7N70C , SLP7N80C , SLF7N80C , SLP80R240SJ , SLF80R240SJ , SLB80R240SJ , 2N7002 , SLF8N60C , SLP8N65C , SLF8N65C , SLW18N50C , SLW20N50C , SLW24N50C , SLH24N50C , SLW9N90C .

History: 2SJ248 | SK840319 | AONV110A60 | RU40190S | DG2N65-252 | BVSS123LT1G | AP3N4R0H

 

 
Back to Top

 


 
.