SLP8N60C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SLP8N60C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
SLP8N60C Datasheet (PDF)
slp8n60c slf8n60c.pdf
SLP8N60C / SLF8N60C600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 7.5A, 600V, RDS(on) typ. = 1.0@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching
slp8n65c slf8n65c.pdf
SLP8N65C/SLF8N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.2@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchingp
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
