Справочник MOSFET. SLP8N60C

 

SLP8N60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLP8N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SLP8N60C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP8N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  maple semi
 slp8n60c slf8n60c.pdf pdf_icon

SLP8N60C

SLP8N60C / SLF8N60C600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 7.5A, 600V, RDS(on) typ. = 1.0@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

 8.1. Size:361K  maple semi
 slp8n65c slf8n65c.pdf pdf_icon

SLP8N60C

SLP8N65C/SLF8N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.2@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchingp

Другие MOSFET... SLF7N65C , SLP7N70C , SLF7N70C , SLP7N80C , SLF7N80C , SLP80R240SJ , SLF80R240SJ , SLB80R240SJ , IRFP250 , SLF8N60C , SLP8N65C , SLF8N65C , SLW18N50C , SLW20N50C , SLW24N50C , SLH24N50C , SLW9N90C .

History: VBA3695 | AM2373P

 

 
Back to Top

 


 
.