SLW18N50C Todos los transistores

 

SLW18N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLW18N50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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SLW18N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  maple semi
 slw18n50c.pdf pdf_icon

SLW18N50C

SLW18N50CSLW18N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 18A, 500V, RDS(on) = 0.32@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching Fast switchingto m

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History: SUN0760F | SWD9N10V1 | SWD9N50D | PDC3904Z | FDM50R120AN4G | SUN0765F | SM1A11NSV

 

 
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