SLW18N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLW18N50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de SLW18N50C MOSFET
SLW18N50C Datasheet (PDF)
slw18n50c.pdf

SLW18N50C 500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced planar - 18A, 500V, RDS(on)typ = 212mstripe DMOS technology. This advanced technology has been - Low gate charge especially tailored to minimize conduction loss, provide superior - Low Crss - Fast switchingswitching performance, and withstand high energy pulse in
Otros transistores... SLF7N80C , SLP80R240SJ , SLF80R240SJ , SLB80R240SJ , SLP8N60C , SLF8N60C , SLP8N65C , SLF8N65C , IRFP450 , SLW20N50C , SLW24N50C , SLH24N50C , SLW9N90C , LBSS84LT1G , S-LBSS84LT1G , LBSS84WT1G , S-LBSS84WT1G .
History: 2SK1564 | IRFR7440 | FDA44N50 | RU30110M | SI7478DP-T1 | AONZ66412 | KRF7601
History: 2SK1564 | IRFR7440 | FDA44N50 | RU30110M | SI7478DP-T1 | AONZ66412 | KRF7601



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor