SLW18N50C Todos los transistores

 

SLW18N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLW18N50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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SLW18N50C Datasheet (PDF)

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SLW18N50C

SLW18N50C 500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced planar - 18A, 500V, RDS(on)typ = 212mstripe DMOS technology. This advanced technology has been - Low gate charge especially tailored to minimize conduction loss, provide superior - Low Crss - Fast switchingswitching performance, and withstand high energy pulse in

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History: 2SK1564 | IRFR7440 | FDA44N50 | RU30110M | SI7478DP-T1 | AONZ66412 | KRF7601

 

 
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