SLW18N50C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLW18N50C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SLW18N50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLW18N50C даташит

 ..1. Size:888K  maple semi
 slw18n50c.pdf pdf_icon

SLW18N50C

SLW18N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced planar - 18A, 500V, RDS(on)typ = 212m stripe DMOS technology. This advanced technology has been - Low gate charge especially tailored to minimize conduction loss, provide superior - Low Crss - Fast switching switching performance, and withstand high energy pulse in

Другие IGBT... SLF7N80C, SLP80R240SJ, SLF80R240SJ, SLB80R240SJ, SLP8N60C, SLF8N60C, SLP8N65C, SLF8N65C, AO4407, SLW20N50C, SLW24N50C, SLH24N50C, SLW9N90C, LBSS84LT1G, S-LBSS84LT1G, LBSS84WT1G, S-LBSS84WT1G