Справочник MOSFET. SLW18N50C

 

SLW18N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLW18N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SLW18N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLW18N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  maple semi
 slw18n50c.pdf pdf_icon

SLW18N50C

SLW18N50CSLW18N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 18A, 500V, RDS(on) = 0.32@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching Fast switchingto m

Другие MOSFET... SLF7N80C , SLP80R240SJ , SLF80R240SJ , SLB80R240SJ , SLP8N60C , SLF8N60C , SLP8N65C , SLF8N65C , P60NF06 , SLW20N50C , SLW24N50C , SLH24N50C , SLW9N90C , LBSS84LT1G , S-LBSS84LT1G , LBSS84WT1G , S-LBSS84WT1G .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.