SLW20N50C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLW20N50C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: TO3P

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SLW20N50C datasheet

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SLW20N50C

SLW20N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 20A, 500V, RDS(on) typ. = 0.21 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performan

Otros transistores... SLP80R240SJ, SLF80R240SJ, SLB80R240SJ, SLP8N60C, SLF8N60C, SLP8N65C, SLF8N65C, SLW18N50C, BS170, SLW24N50C, SLH24N50C, SLW9N90C, LBSS84LT1G, S-LBSS84LT1G, LBSS84WT1G, S-LBSS84WT1G, LN2302BLT1G