SLW20N50C - аналоги и даташиты транзистора

 

SLW20N50C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SLW20N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SLW20N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLW20N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  maple semi
 slw20n50c.pdf pdf_icon

SLW20N50C

SLW20N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 20A, 500V, RDS(on) typ. = 0.21@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchingperforman

Другие MOSFET... SLP80R240SJ , SLF80R240SJ , SLB80R240SJ , SLP8N60C , SLF8N60C , SLP8N65C , SLF8N65C , SLW18N50C , BS170 , SLW24N50C , SLH24N50C , SLW9N90C , LBSS84LT1G , S-LBSS84LT1G , LBSS84WT1G , S-LBSS84WT1G , LN2302BLT1G .

History: 2SJ669 | SWN4N65D

 

 
Back to Top

 


 
.