SLW9N90C Todos los transistores

 

SLW9N90C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLW9N90C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 228 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

SLW9N90C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  maple semi
 slw9n90c.pdf pdf_icon

SLW9N90C

This Power MOSFET is produced using Maple semis - 9A, 900V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 70 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching Fast switchingminimize on state r

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CHM1433WGP | WMQ40N03T1 | S68N08ZRN | 2SK777 | UT20N03 | WPM4801 | FMH47N60S1

 

 
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