SLW9N90C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLW9N90C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 228 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SLW9N90C
SLW9N90C Datasheet (PDF)
slw9n90c.pdf
This Power MOSFET is produced using Maple semis - 9A, 900V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 70 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching Fast switchingminimize on state r
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Liste
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