SLW9N90C Todos los transistores

 

SLW9N90C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLW9N90C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 280 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 70 nC
   Tiempo de subida (tr): 130 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 228 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

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SLW9N90C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  maple semi
slw9n90c.pdf

SLW9N90C
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This Power MOSFET is produced using Maple semis - 9A, 900V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 70 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching Fast switchingminimize on state r

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
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