SLW9N90C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLW9N90C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 228 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO3P

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SLW9N90C datasheet

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SLW9N90C

This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 9A, 900V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 70 nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior switching Fast switching minimize on state r

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