SLW9N90C - описание и поиск аналогов

 

Аналоги SLW9N90C. Основные параметры


   Наименование производителя: SLW9N90C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 228 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SLW9N90C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLW9N90C даташит

 ..1. Size:167K  maple semi
 slw9n90c.pdf pdf_icon

SLW9N90C

This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 9A, 900V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 70 nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior switching Fast switching minimize on state r

Другие MOSFET... SLP8N60C , SLF8N60C , SLP8N65C , SLF8N65C , SLW18N50C , SLW20N50C , SLW24N50C , SLH24N50C , IRF1407 , LBSS84LT1G , S-LBSS84LT1G , LBSS84WT1G , S-LBSS84WT1G , LN2302BLT1G , S-LN2302BLT1G , LN2302LT1G , LN2306LT1G .

History: DHIZ24B31 | IXTX40P50P | IXTX22N100L | IXTY05N100 | KRF7604 | SST113 | FDY4000CZ

 

 
Back to Top

 


 
.