Справочник MOSFET. SLW9N90C

 

SLW9N90C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLW9N90C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 228 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SLW9N90C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  maple semi
 slw9n90c.pdf pdf_icon

SLW9N90C

This Power MOSFET is produced using Maple semis - 9A, 900V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 70 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching Fast switchingminimize on state r

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.