SLW9N90C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SLW9N90C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
Время нарастания (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 228 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO3P
SLW9N90C Datasheet (PDF)
..1. Size:167K maple semi
slw9n90c.pdf
slw9n90c.pdf
This Power MOSFET is produced using Maple semis - 9A, 900V, RDS(on) = 1.05 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 70 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching Fast switchingminimize on state r
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: MSU9N90P
