LN2302LT1G Todos los transistores

 

LN2302LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LN2302LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80.56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

LN2302LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  lrc
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LN2302LT1G

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LN2302LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURES RDS(ON)85m@VGS=4.5V LN2302BLT1G RDS(ON)115m@VGS=2.5V S-LN2302BLT1G RDS(ON)135m@VGS=1.8V 3 Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 12 S- Prefix for Automotive and Other Applications Re

 9.1. Size:450K  lrc
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LN2302LT1G

LN2306LT1GS-LN2306LT1G30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET1. FEATURESVDS= 30VRDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A = 38m RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 43mRDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A = 62mSOT23(TO-236) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI2309CDS-T1-GE3 | SI2369DS-T1 | STF34N65M5 | WFP830 | CXDM1002N | AONS66917 | LSG65R950HT

 

 
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