Справочник MOSFET. LN2302LT1G

 

LN2302LT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LN2302LT1G
   Маркировка: N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 3.69 nC
   Время нарастания (tr): 7.56 ns
   Выходная емкость (Cd): 80.56 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для LN2302LT1G

 

 

LN2302LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  lrc
 ln2302lt1g.pdf

LN2302LT1G

 8.1. Size:316K  lrc
 ln2302blt1g s-ln2302blt1g.pdf

LN2302LT1G LN2302LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURES RDS(ON)85m@VGS=4.5V LN2302BLT1G RDS(ON)115m@VGS=2.5V S-LN2302BLT1G RDS(ON)135m@VGS=1.8V 3 Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 12 S- Prefix for Automotive and Other Applications Re

 9.1. Size:450K  lrc
 ln2306lt1g s-ln2306lt1g.pdf

LN2302LT1G LN2302LT1G

LN2306LT1GS-LN2306LT1G30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET1. FEATURESVDS= 30VRDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A = 38m RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 43mRDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A = 62mSOT23(TO-236) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top