LN2306LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LN2306LT1G
Código: N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.4 V
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80.85 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LN2306LT1G
LN2306LT1G Datasheet (PDF)
ln2306lt1g s-ln2306lt1g.pdf
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LN2306LT1GS-LN2306LT1G30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET1. FEATURESVDS= 30VRDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A = 38m RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 43mRDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A = 62mSOT23(TO-236) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring
ln2302blt1g s-ln2302blt1g.pdf
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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURES RDS(ON)85m@VGS=4.5V LN2302BLT1G RDS(ON)115m@VGS=2.5V S-LN2302BLT1G RDS(ON)135m@VGS=1.8V 3 Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 12 S- Prefix for Automotive and Other Applications Re
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