LN2306LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LN2306LT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80.85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для LN2306LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LN2306LT1G даташит

 ..1. Size:450K  lrc
 ln2306lt1g s-ln2306lt1g.pdf pdf_icon

LN2306LT1G

LN2306LT1G S-LN2306LT1G 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 1. FEATURES VDS= 30V RDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A = 38m RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 43m RDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A = 62m SOT23(TO-236) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring

 9.1. Size:623K  lrc
 ln2302lt1g.pdf pdf_icon

LN2306LT1G

 9.2. Size:316K  lrc
 ln2302blt1g s-ln2302blt1g.pdf pdf_icon

LN2306LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURES RDS(ON) 85m @VGS=4.5V LN2302BLT1G RDS(ON) 115m @VGS=2.5V S-LN2302BLT1G RDS(ON) 135m @VGS=1.8V 3 Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 1 2 S- Prefix for Automotive and Other Applications Re

Другие IGBT... SLW9N90C, LBSS84LT1G, S-LBSS84LT1G, LBSS84WT1G, S-LBSS84WT1G, LN2302BLT1G, S-LN2302BLT1G, LN2302LT1G, 20N50, S-LN2306LT1G, LN2312LT1G, S-LN2312LT1G, LN2324DT2AG, LN235N3T5G, LN4501LT1G, LN8340DT1AG, LN8342DT1AG