LN2312LT1G Todos los transistores

 

LN2312LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LN2312LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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LN2312LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  lrc
 ln2312lt1g s-ln2312lt1g.pdf pdf_icon

LN2312LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V LN2312LT1GRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 41m S-LN2312LT1GRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 47m Features 3Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 1we declare that the material of product 2compliance with RoHS requirements.SOT 23 (TO236AB)

Otros transistores... S-LBSS84LT1G , LBSS84WT1G , S-LBSS84WT1G , LN2302BLT1G , S-LN2302BLT1G , LN2302LT1G , LN2306LT1G , S-LN2306LT1G , IRFB31N20D , S-LN2312LT1G , LN2324DT2AG , LN235N3T5G , LN4501LT1G , LN8340DT1AG , LN8342DT1AG , LNA2306LT1G , S-LNA2306LT1G .

History: IPB123N10N3G | APT4530AN | 2SK673 | P0920AD | PHP75NQ08T | IRF6638PBF | HM16N50

 

 
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