LN2312LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LN2312LT1G
   Código: N12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 11.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 40 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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LN2312LT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:690K lrc
ln2312lt1g s-ln2312lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V LN2312LT1GRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 41m S-LN2312LT1GRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 47m Features 3Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 1we declare that the material of product 2compliance with RoHS requirements.SOT 23 (TO236AB)

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History: SI3400A

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