LN2312LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LN2312LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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LN2312LT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:690K lrc
ln2312lt1g s-ln2312lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V LN2312LT1GRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 41m S-LN2312LT1GRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 47m Features 3Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 1we declare that the material of product 2compliance with RoHS requirements.SOT 23 (TO236AB)

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Liste

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