Справочник MOSFET. LN2312LT1G

 

LN2312LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LN2312LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для LN2312LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LN2312LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  lrc
 ln2312lt1g s-ln2312lt1g.pdf pdf_icon

LN2312LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V LN2312LT1GRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 41m S-LN2312LT1GRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 47m Features 3Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 1we declare that the material of product 2compliance with RoHS requirements.SOT 23 (TO236AB)

Другие MOSFET... S-LBSS84LT1G , LBSS84WT1G , S-LBSS84WT1G , LN2302BLT1G , S-LN2302BLT1G , LN2302LT1G , LN2306LT1G , S-LN2306LT1G , IRFB31N20D , S-LN2312LT1G , LN2324DT2AG , LN235N3T5G , LN4501LT1G , LN8340DT1AG , LN8342DT1AG , LNA2306LT1G , S-LNA2306LT1G .

History: AO4447A | STF26NM60N-H | 2SJ340 | SWMN15N50D | STD70N02L | 7N60F

 

 
Back to Top

 


 
.