LN2312LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LN2312LT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для LN2312LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LN2312LT1G даташит

 ..1. Size:690K  lrc
 ln2312lt1g s-ln2312lt1g.pdf pdf_icon

LN2312LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V LN2312LT1G RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 41m S-LN2312LT1G RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 47m Features 3 Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 1 we declare that the material of product 2 compliance with RoHS requirements. SOT 23 (TO 236AB)

Другие IGBT... S-LBSS84LT1G, LBSS84WT1G, S-LBSS84WT1G, LN2302BLT1G, S-LN2302BLT1G, LN2302LT1G, LN2306LT1G, S-LN2306LT1G, IRF2807, S-LN2312LT1G, LN2324DT2AG, LN235N3T5G, LN4501LT1G, LN8340DT1AG, LN8342DT1AG, LNA2306LT1G, S-LNA2306LT1G