LN2324DT2AG Todos los transistores

 

LN2324DT2AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LN2324DT2AG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6S
 

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LN2324DT2AG Datasheet (PDF)

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LN2324DT2AG

LN2324DT2AGS-LN2324DT2AG20V N-Channel (D-S) MOSFET1. FEATURESVDS =20VRDS(ON)10.5m,VGS@4.5V,IDS@10ARDS(ON)12.5m,VGS@2.5V,IDS@8ALow RDS(ON) trench technology.Low thermal impedance.Fast switching speed.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applicat

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History: PD609CX | STP34NM60N | AP4531GM | SPA06N60C3 | AP3403GJ | LNSA3400 | NTMFS4C024N

 

 
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