LN2324DT2AG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LN2324DT2AG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6S

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LN2324DT2AG datasheet

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LN2324DT2AG

LN2324DT2AG S-LN2324DT2AG 20V N-Channel (D-S) MOSFET 1. FEATURES VDS =20V RDS(ON) 10.5m ,VGS@4.5V,IDS@10A RDS(ON) 12.5m ,VGS@2.5V,IDS@8A Low RDS(ON) trench technology. Low thermal impedance. Fast switching speed. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applicat

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