LN2324DT2AG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LN2324DT2AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6S

Аналог (замена) для LN2324DT2AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LN2324DT2AG даташит

 ..1. Size:860K  lrc
 ln2324dt2ag.pdf pdf_icon

LN2324DT2AG

LN2324DT2AG S-LN2324DT2AG 20V N-Channel (D-S) MOSFET 1. FEATURES VDS =20V RDS(ON) 10.5m ,VGS@4.5V,IDS@10A RDS(ON) 12.5m ,VGS@2.5V,IDS@8A Low RDS(ON) trench technology. Low thermal impedance. Fast switching speed. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applicat

Другие IGBT... S-LBSS84WT1G, LN2302BLT1G, S-LN2302BLT1G, LN2302LT1G, LN2306LT1G, S-LN2306LT1G, LN2312LT1G, S-LN2312LT1G, IRFZ24N, LN235N3T5G, LN4501LT1G, LN8340DT1AG, LN8342DT1AG, LNA2306LT1G, S-LNA2306LT1G, S-LNTA4001NT1G, LNTK2575LT1G