Справочник MOSFET. LN2324DT2AG

 

LN2324DT2AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LN2324DT2AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LN2324DT2AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  lrc
ln2324dt2ag.pdfpdf_icon

LN2324DT2AG

LN2324DT2AGS-LN2324DT2AG20V N-Channel (D-S) MOSFET1. FEATURESVDS =20VRDS(ON)10.5m,VGS@4.5V,IDS@10ARDS(ON)12.5m,VGS@2.5V,IDS@8ALow RDS(ON) trench technology.Low thermal impedance.Fast switching speed.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applicat

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO4803A | STP5NK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.