Справочник MOSFET. LN2324DT2AG

 

LN2324DT2AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LN2324DT2AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6S
 

 Аналог (замена) для LN2324DT2AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LN2324DT2AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  lrc
 ln2324dt2ag.pdf pdf_icon

LN2324DT2AG

LN2324DT2AGS-LN2324DT2AG20V N-Channel (D-S) MOSFET1. FEATURESVDS =20VRDS(ON)10.5m,VGS@4.5V,IDS@10ARDS(ON)12.5m,VGS@2.5V,IDS@8ALow RDS(ON) trench technology.Low thermal impedance.Fast switching speed.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applicat

Другие MOSFET... S-LBSS84WT1G , LN2302BLT1G , S-LN2302BLT1G , LN2302LT1G , LN2306LT1G , S-LN2306LT1G , LN2312LT1G , S-LN2312LT1G , AON6380 , LN235N3T5G , LN4501LT1G , LN8340DT1AG , LN8342DT1AG , LNA2306LT1G , S-LNA2306LT1G , S-LNTA4001NT1G , LNTK2575LT1G .

History: BRCS016N03SZC

 

 
Back to Top

 


 
.