LN8342DT1AG Todos los transistores

 

LN8342DT1AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LN8342DT1AG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 301 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3030-8B
     - Selección de transistores por parámetros

 

LN8342DT1AG Datasheet (PDF)

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LN8342DT1AG

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LN8342DT1AG

LN8340DT1AGN-Channel 30-V (D-S) MOSFET1. FEATURES Low RDS(on) trench technology. Low thermal impedance. Fast switching speed. We declare that the material of product are Halogen Free andcompliance with RoHS requirements.2. APPLICATION Power Routing DC/DC Conversion Motor Drives3. ORDERING INFORMATIONDevice Marking ShippingLN8340DT1AGN40 3000/Ta

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History: STP60NF06LFP | AP4002T | IRLI3803PBF | FDB0260N1007L | DMN2020LSN | TPA65R180D

 

 
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