LN8342DT1AG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LN8342DT1AG
Маркировка: A42
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1(min) V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 301 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
Тип корпуса: DFN3030-8B
Аналог (замена) для LN8342DT1AG
LN8342DT1AG Datasheet (PDF)
ln8340dt1ag.pdf
LN8340DT1AGN-Channel 30-V (D-S) MOSFET1. FEATURES Low RDS(on) trench technology. Low thermal impedance. Fast switching speed. We declare that the material of product are Halogen Free andcompliance with RoHS requirements.2. APPLICATION Power Routing DC/DC Conversion Motor Drives3. ORDERING INFORMATIONDevice Marking ShippingLN8340DT1AGN40 3000/Ta
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918