S-LNA2306LT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S-LNA2306LT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: SOT23E

 Búsqueda de reemplazo de S-LNA2306LT1G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

S-LNA2306LT1G datasheet

 ..1. Size:431K  lrc
 lna2306lt1g s-lna2306lt1g.pdf pdf_icon

S-LNA2306LT1G

LNA2306LT1G S-LNA2306LT1G 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 1. FEATURES VDS= 30V RDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A = 38m RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 43m RDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A = 62m SOT23E We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring uniq

Otros transistores... LN2312LT1G, S-LN2312LT1G, LN2324DT2AG, LN235N3T5G, LN4501LT1G, LN8340DT1AG, LN8342DT1AG, LNA2306LT1G, IRFB31N20D, S-LNTA4001NT1G, LNTK2575LT1G, S-LNTK2575LT1G, LNTK3043PT5G, S-LNTK3043PT5G, LP0404N3T5G, LP1480WT1G, S-LP1480WT1G