S-LNA2306LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S-LNA2306LT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SOT23E

Аналог (замена) для S-LNA2306LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S-LNA2306LT1G даташит

 ..1. Size:431K  lrc
 lna2306lt1g s-lna2306lt1g.pdf pdf_icon

S-LNA2306LT1G

LNA2306LT1G S-LNA2306LT1G 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 1. FEATURES VDS= 30V RDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A = 38m RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 43m RDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A = 62m SOT23E We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring uniq

Другие IGBT... LN2312LT1G, S-LN2312LT1G, LN2324DT2AG, LN235N3T5G, LN4501LT1G, LN8340DT1AG, LN8342DT1AG, LNA2306LT1G, IRFB31N20D, S-LNTA4001NT1G, LNTK2575LT1G, S-LNTK2575LT1G, LNTK3043PT5G, S-LNTK3043PT5G, LP0404N3T5G, LP1480WT1G, S-LP1480WT1G