LNTK2575LT1G Todos los transistores

 

LNTK2575LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNTK2575LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

LNTK2575LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  lrc
 lntk2575lt1g s-lntk2575lt1g.pdf pdf_icon

LNTK2575LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LNTK2575LT1GSmall Signal MOSFETS-LNTK2575LT1G25 V, 0.75 A, Single, N-Channel,ESD Protection, SOT-233Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on)1 Higher Efficiency Extending Battery Life2 This is a Pb-Free Device S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT 23 Unique Site and Control Ch

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History: 7N80L-TF2-T | FDN338 | SUP75P03-07 | 2SK3107C | 2SK2616 | AUIRF3808 | S10H12S

 

 
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