LNTK2575LT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LNTK2575LT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: SOT23

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LNTK2575LT1G datasheet

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LNTK2575LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LNTK2575LT1G Small Signal MOSFET S-LNTK2575LT1G 25 V, 0.75 A, Single, N-Channel, ESD Protection, SOT-23 3 Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) 1 Higher Efficiency Extending Battery Life 2 This is a Pb-Free Device S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT 23 Unique Site and Control Ch

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