Справочник MOSFET. LNTK2575LT1G

 

LNTK2575LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNTK2575LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для LNTK2575LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNTK2575LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  lrc
 lntk2575lt1g s-lntk2575lt1g.pdf pdf_icon

LNTK2575LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LNTK2575LT1GSmall Signal MOSFETS-LNTK2575LT1G25 V, 0.75 A, Single, N-Channel,ESD Protection, SOT-233Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on)1 Higher Efficiency Extending Battery Life2 This is a Pb-Free Device S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT 23 Unique Site and Control Ch

Другие MOSFET... LN2324DT2AG , LN235N3T5G , LN4501LT1G , LN8340DT1AG , LN8342DT1AG , LNA2306LT1G , S-LNA2306LT1G , S-LNTA4001NT1G , NCEP15T14 , S-LNTK2575LT1G , LNTK3043PT5G , S-LNTK3043PT5G , LP0404N3T5G , LP1480WT1G , S-LP1480WT1G , LP2301BLT1G , LP2301BLT3G .

History: CS6661 | 2SK1733 | CMPFJ310 | SVS80R280FJDE3 | PMN40ENA | NVTR4502P

 

 
Back to Top

 


 
.