LP1480WT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LP1480WT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm

Encapsulados: SOT323

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LP1480WT1G datasheet

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LP1480WT1G

LP1480WT1G S-LP1480WT1G -20V P-Channel Power Mosfet 1. FEATURES V(BR)DSS=-20V RDS(ON) 210m @VGS =-4.5V,ID=-1.0A RDS(ON) 310m @VGS =-2.5V,ID=-0.5A We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. SC70(SOT-323) S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q

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