LP1480WT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LP1480WT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для LP1480WT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP1480WT1G даташит

 ..1. Size:411K  lrc
 lp1480wt1g s-lp1480wt1g.pdf pdf_icon

LP1480WT1G

LP1480WT1G S-LP1480WT1G -20V P-Channel Power Mosfet 1. FEATURES V(BR)DSS=-20V RDS(ON) 210m @VGS =-4.5V,ID=-1.0A RDS(ON) 310m @VGS =-2.5V,ID=-0.5A We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. SC70(SOT-323) S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q

Другие IGBT... LNA2306LT1G, S-LNA2306LT1G, S-LNTA4001NT1G, LNTK2575LT1G, S-LNTK2575LT1G, LNTK3043PT5G, S-LNTK3043PT5G, LP0404N3T5G, IRLB3034, S-LP1480WT1G, LP2301BLT1G, LP2301BLT3G, S-LP2305DSLT1G, S-LP2307LT1G, LP2309LT1G, LP2309LT3G, LP2501DT1G