Справочник MOSFET. LP1480WT1G

 

LP1480WT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LP1480WT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LP1480WT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  lrc
 lp1480wt1g s-lp1480wt1g.pdf pdf_icon

LP1480WT1G

LP1480WT1GS-LP1480WT1G-20V P-Channel Power Mosfet1. FEATURESV(BR)DSS=-20VRDS(ON) 210m @VGS =-4.5V,ID=-1.0ARDS(ON) 310m @VGS =-2.5V,ID=-0.5AWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.SC70(SOT-323)S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.