Справочник MOSFET. LP1480WT1G

 

LP1480WT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LP1480WT1G
   Маркировка: W14
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: SOT323

 Аналог (замена) для LP1480WT1G

 

 

LP1480WT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  lrc
 lp1480wt1g s-lp1480wt1g.pdf

LP1480WT1G LP1480WT1G

LP1480WT1GS-LP1480WT1G-20V P-Channel Power Mosfet1. FEATURESV(BR)DSS=-20VRDS(ON) 210m @VGS =-4.5V,ID=-1.0ARDS(ON) 310m @VGS =-2.5V,ID=-0.5AWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.SC70(SOT-323)S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top