S-LP2307LT1G Todos los transistores

 

S-LP2307LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: S-LP2307LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

S-LP2307LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  lrc
 lp2307lt1g s-lp2307lt1g.pdf pdf_icon

S-LP2307LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.16V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP2307LT1GVDS= -16V S-LP2307LT1GR Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 70 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 1103Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT 23 (TO236AB)Unique S

 7.1. Size:497K  lrc
 lp2305dslt1g s-lp2305dslt1g.pdf pdf_icon

S-LP2307LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP2305DSLT1GV = -12V DSS-LP2305DSLT1GRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@"3.5A = 68mR 3A = 81DS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@" mR 2A = 118 mDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@"3Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2SOT 23 (TO236AB)Fully Characterized Avalan

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CS520 | IRF1404ZL | ME2308S-G | NP80N04PLG | IRF3709LPBF | SWI110R06VT | IPB65R600C6

 

 
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