Справочник MOSFET. S-LP2307LT1G

 

S-LP2307LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: S-LP2307LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для S-LP2307LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S-LP2307LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  lrc
 lp2307lt1g s-lp2307lt1g.pdf pdf_icon

S-LP2307LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.16V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP2307LT1GVDS= -16V S-LP2307LT1GR Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 70 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 1103Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT 23 (TO236AB)Unique S

 7.1. Size:497K  lrc
 lp2305dslt1g s-lp2305dslt1g.pdf pdf_icon

S-LP2307LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP2305DSLT1GV = -12V DSS-LP2305DSLT1GRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@"3.5A = 68mR 3A = 81DS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@" mR 2A = 118 mDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@"3Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2SOT 23 (TO236AB)Fully Characterized Avalan

Другие MOSFET... LNTK3043PT5G , S-LNTK3043PT5G , LP0404N3T5G , LP1480WT1G , S-LP1480WT1G , LP2301BLT1G , LP2301BLT3G , S-LP2305DSLT1G , 2SK3918 , LP2309LT1G , LP2309LT3G , LP2501DT1G , LP3218DT1G , S-LP3407LT1G , LP3415ELT1G , S-LP3415ELT1G , S-LP4101LT1G .

History: PSMN5R0-100PS | CMRDM3590

 

 
Back to Top

 


 
.