S-LP2307LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S-LP2307LT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для S-LP2307LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S-LP2307LT1G даташит

 ..1. Size:371K  lrc
 lp2307lt1g s-lp2307lt1g.pdf pdf_icon

S-LP2307LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 16V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP2307LT1G VDS= -16V S-LP2307LT1G R Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 70 m DS(ON), m R DS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 110 3 Features Advanced trench process technology 1 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT 23 (TO 236AB) Unique S

 7.1. Size:497K  lrc
 lp2305dslt1g s-lp2305dslt1g.pdf pdf_icon

S-LP2307LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP2305DSLT1G V = -12V DS S-LP2305DSLT1G RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@" 3.5A = 68m R 3A = 81 DS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@" m R 2A = 118 m DS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@" 3 Features Advanced trench process technology 1 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2 SOT 23 (TO 236AB) Fully Characterized Avalan

Другие IGBT... LNTK3043PT5G, S-LNTK3043PT5G, LP0404N3T5G, LP1480WT1G, S-LP1480WT1G, LP2301BLT1G, LP2301BLT3G, S-LP2305DSLT1G, EMB04N03H, LP2309LT1G, LP2309LT3G, LP2501DT1G, LP3218DT1G, S-LP3407LT1G, LP3415ELT1G, S-LP3415ELT1G, S-LP4101LT1G