LP2501DT1G Todos los transistores

 

LP2501DT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LP2501DT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6S
 

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LP2501DT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1034K  lrc
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LP2501DT1G

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 9.1. Size:148K  international rectifier
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LP2501DT1G

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 9.2. Size:801K  semihow
 hrlp250n10k.pdf pdf_icon

LP2501DT1G

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