LP2501DT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LP2501DT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6S

Аналог (замена) для LP2501DT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP2501DT1G даташит

 ..1. Size:1034K  lrc
 lp2501dt1g.pdf pdf_icon

LP2501DT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURES RDS(ON) 110m @VGS=-4.5V RDS(ON) 150m @VGS=-2.5V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) APPLICATIONS Power Management in Note book Portable Equipment Battery Powered System Load Switch DSC We declare that the material of product are Halogen

 9.1. Size:148K  international rectifier
 irlp2505.pdf pdf_icon

LP2501DT1G

PD - _____ IRLP2505 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.008 175 C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 90A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowes

 9.2. Size:801K  semihow
 hrlp250n10k.pdf pdf_icon

LP2501DT1G

Dec 2018 HRLP250N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design BVDSS 100 V Reliable and Rugged ID 38 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 20 m RDS(on), typ @4.5V 22 m Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System TO-220 Synchronous Rectifi

Другие IGBT... LP1480WT1G, S-LP1480WT1G, LP2301BLT1G, LP2301BLT3G, S-LP2305DSLT1G, S-LP2307LT1G, LP2309LT1G, LP2309LT3G, AOD4184A, LP3218DT1G, S-LP3407LT1G, LP3415ELT1G, S-LP3415ELT1G, S-LP4101LT1G, LRC6N33YT1G, LSI1012LT1G, S-LSI1012LT1G