LP3218DT1G Todos los transistores

 

LP3218DT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LP3218DT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6S
 

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LP3218DT1G Datasheet (PDF)

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LP3218DT1G

LP3218DT1G12V P-Channel Enhancement MOSFET1. FEATURESLow Profile DFN 2.0x2.0x0.62 mm for Board Space SavingUltra Low RDS(on)ESD Diode.Protected GateThis is a Pb-Free Device We declare that the material of product are Halogen Free andcompliance with RoHS requirements.2.APPLICATIONS Battery Switch High Side Load Switch3. ORDERING INFORMATIOND

Otros transistores... S-LP1480WT1G , LP2301BLT1G , LP2301BLT3G , S-LP2305DSLT1G , S-LP2307LT1G , LP2309LT1G , LP2309LT3G , LP2501DT1G , AO3407 , S-LP3407LT1G , LP3415ELT1G , S-LP3415ELT1G , S-LP4101LT1G , LRC6N33YT1G , LSI1012LT1G , S-LSI1012LT1G , S-SRK7002LT1G .

History: UPA1873GR | 8N80G-TF1-T | UTT75N08 | 2SK2495 | IRFU9220PBF | VBMB165R20 | AM40P03-20D

 

 
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