LP3218DT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LP3218DT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6S

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LP3218DT1G datasheet

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LP3218DT1G

LP3218DT1G 12V P-Channel Enhancement MOSFET 1. FEATURES Low Profile DFN 2.0x2.0x0.62 mm for Board Space Saving Ultra Low RDS(on) ESD Diode.Protected Gate This is a Pb-Free Device We declare that the material of product are Halogen Free and compliance with RoHS requirements. 2.APPLICATIONS Battery Switch High Side Load Switch 3. ORDERING INFORMATION D

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