Справочник MOSFET. LP3218DT1G

 

LP3218DT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LP3218DT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6S
 

 Аналог (замена) для LP3218DT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP3218DT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  lrc
 lp3218dt1g.pdf pdf_icon

LP3218DT1G

LP3218DT1G12V P-Channel Enhancement MOSFET1. FEATURESLow Profile DFN 2.0x2.0x0.62 mm for Board Space SavingUltra Low RDS(on)ESD Diode.Protected GateThis is a Pb-Free Device We declare that the material of product are Halogen Free andcompliance with RoHS requirements.2.APPLICATIONS Battery Switch High Side Load Switch3. ORDERING INFORMATIOND

Другие MOSFET... S-LP1480WT1G , LP2301BLT1G , LP2301BLT3G , S-LP2305DSLT1G , S-LP2307LT1G , LP2309LT1G , LP2309LT3G , LP2501DT1G , AO3407 , S-LP3407LT1G , LP3415ELT1G , S-LP3415ELT1G , S-LP4101LT1G , LRC6N33YT1G , LSI1012LT1G , S-LSI1012LT1G , S-SRK7002LT1G .

History: EN2305 | AM9N65P | AFN2302S | IRF9530PBF | HSSC3134 | 2SK2641-01 | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.