Справочник MOSFET. LP3218DT1G

 

LP3218DT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LP3218DT1G
   Маркировка: 32
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6S

 Аналог (замена) для LP3218DT1G

 

 

LP3218DT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  lrc
 lp3218dt1g.pdf

LP3218DT1G LP3218DT1G

LP3218DT1G12V P-Channel Enhancement MOSFET1. FEATURESLow Profile DFN 2.0x2.0x0.62 mm for Board Space SavingUltra Low RDS(on)ESD Diode.Protected GateThis is a Pb-Free Device We declare that the material of product are Halogen Free andcompliance with RoHS requirements.2.APPLICATIONS Battery Switch High Side Load Switch3. ORDERING INFORMATIOND

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top