LP3218DT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LP3218DT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6S

Аналог (замена) для LP3218DT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP3218DT1G даташит

 ..1. Size:547K  lrc
 lp3218dt1g.pdf pdf_icon

LP3218DT1G

LP3218DT1G 12V P-Channel Enhancement MOSFET 1. FEATURES Low Profile DFN 2.0x2.0x0.62 mm for Board Space Saving Ultra Low RDS(on) ESD Diode.Protected Gate This is a Pb-Free Device We declare that the material of product are Halogen Free and compliance with RoHS requirements. 2.APPLICATIONS Battery Switch High Side Load Switch 3. ORDERING INFORMATION D

Другие IGBT... S-LP1480WT1G, LP2301BLT1G, LP2301BLT3G, S-LP2305DSLT1G, S-LP2307LT1G, LP2309LT1G, LP2309LT3G, LP2501DT1G, AO4407A, S-LP3407LT1G, LP3415ELT1G, S-LP3415ELT1G, S-LP4101LT1G, LRC6N33YT1G, LSI1012LT1G, S-LSI1012LT1G, S-SRK7002LT1G