S-LP3407LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: S-LP3407LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET S-LP3407LT1G

S-LP3407LT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:997K lrc
lp3407lt1g s-lp3407lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LP3407LT1G30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETS-LP3407LT1GVDS -30V3ID (VGS = -10V)-4.1ARDS(ON) (VGS = -10V)

8.1. Size:312K lrc
lp3415elt1g s-lp3415elt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3415ELT1GV = -20V DSS-LP3415ELT1GR Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 60 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 753mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 85Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2we declare that the material of product SOT 23 (

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Liste

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