Справочник MOSFET. S-LP3407LT1G

 

S-LP3407LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: S-LP3407LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для S-LP3407LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S-LP3407LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:997K  lrc
 lp3407lt1g s-lp3407lt1g.pdf pdf_icon

S-LP3407LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LP3407LT1G30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETS-LP3407LT1GVDS -30V3ID (VGS = -10V)-4.1ARDS(ON) (VGS = -10V)

 8.1. Size:312K  lrc
 lp3415elt1g s-lp3415elt1g.pdf pdf_icon

S-LP3407LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3415ELT1GV = -20V DSS-LP3415ELT1GR Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 60 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 753mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 85Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2we declare that the material of product SOT 23 (

Другие MOSFET... LP2301BLT1G , LP2301BLT3G , S-LP2305DSLT1G , S-LP2307LT1G , LP2309LT1G , LP2309LT3G , LP2501DT1G , LP3218DT1G , AO4468 , LP3415ELT1G , S-LP3415ELT1G , S-LP4101LT1G , LRC6N33YT1G , LSI1012LT1G , S-LSI1012LT1G , S-SRK7002LT1G , 2N65F .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.