LP3415ELT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LP3415ELT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1604 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128.57 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT23

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LP3415ELT1G datasheet

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LP3415ELT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3415ELT1G V = -20V DS S-LP3415ELT1G R Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 60 m DS(ON), m R DS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 75 3 m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 85 Features Advanced trench process technology 1 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2 we declare that the material of product SOT 23 (

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