LP3415ELT1G Todos los transistores

 

LP3415ELT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LP3415ELT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1604 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128.57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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LP3415ELT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  lrc
 lp3415elt1g s-lp3415elt1g.pdf pdf_icon

LP3415ELT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3415ELT1GV = -20V DSS-LP3415ELT1GR Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 60 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 753mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 85Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2we declare that the material of product SOT 23 (

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History: 12P10G-TQ2-R | S-LP4101LT1G | 40P04 | 2SK1085-M | SIHF624S | G1007 | BLV4N60

 

 
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