LP3415ELT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LP3415ELT1G
Código: P15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 4.59 nC
Tiempo de subida (tr): 1604 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 128.57 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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LP3415ELT1G Datasheet (PDF)
lp3415elt1g s-lp3415elt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3415ELT1GV = -20V DSS-LP3415ELT1GR Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 60 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 753mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 85Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2we declare that the material of product SOT 23 (
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