LP3415ELT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LP3415ELT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1604 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 128.57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для LP3415ELT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP3415ELT1G даташит

 ..1. Size:312K  lrc
 lp3415elt1g s-lp3415elt1g.pdf pdf_icon

LP3415ELT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3415ELT1G V = -20V DS S-LP3415ELT1G R Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 60 m DS(ON), m R DS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 75 3 m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 85 Features Advanced trench process technology 1 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2 we declare that the material of product SOT 23 (

Другие IGBT... LP2301BLT3G, S-LP2305DSLT1G, S-LP2307LT1G, LP2309LT1G, LP2309LT3G, LP2501DT1G, LP3218DT1G, S-LP3407LT1G, IRFP064N, S-LP3415ELT1G, S-LP4101LT1G, LRC6N33YT1G, LSI1012LT1G, S-LSI1012LT1G, S-SRK7002LT1G, 2N65F, 2N65E