Справочник MOSFET. LP3415ELT1G

 

LP3415ELT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LP3415ELT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1604 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128.57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для LP3415ELT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP3415ELT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  lrc
 lp3415elt1g s-lp3415elt1g.pdf pdf_icon

LP3415ELT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3415ELT1GV = -20V DSS-LP3415ELT1GR Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 60 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 753mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 85Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2we declare that the material of product SOT 23 (

Другие MOSFET... LP2301BLT3G , S-LP2305DSLT1G , S-LP2307LT1G , LP2309LT1G , LP2309LT3G , LP2501DT1G , LP3218DT1G , S-LP3407LT1G , 5N50 , S-LP3415ELT1G , S-LP4101LT1G , LRC6N33YT1G , LSI1012LT1G , S-LSI1012LT1G , S-SRK7002LT1G , 2N65F , 2N65E .

History: P3203CMG | CST30N10P | SSM3K16FU | IPD25DP06NM | CEP75N10 | AOD446 | FC4B22070L

 

 
Back to Top

 


 
.