STK2NA60 Todos los transistores

 

STK2NA60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK2NA60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.75 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT82

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STK2NA60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  st
 stk2na60.pdf

STK2NA60 STK2NA60

STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2NA60 600 V

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STK2NA60 STK2NA60

STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2N80 800 V

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STK2NA60 STK2NA60

STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2NA60 600 V

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STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2N80 800 V

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