STK2NA60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STK2NA60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: SOT82
Аналог (замена) для STK2NA60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STK2NA60 даташит
stk2na60.pdf
STK2NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STK2NA60 600 V
stk2n60.pdf
STK2N80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STK2N80 800 V
stk2n60-.pdf
STK2NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STK2NA60 600 V
stk2n80.pdf
STK2N80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STK2N80 800 V
Другие MOSFET... STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , STK2N50 , STK2N80 , AON6414A , STK3055E , STK3N50 , STK3NA50 , STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L , STK4N40 , STK6N20 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115




