Справочник MOSFET. STK2NA60

 

STK2NA60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STK2NA60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT82

 Аналог (замена) для STK2NA60

 

 

STK2NA60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  st
 stk2na60.pdf

STK2NA60 STK2NA60

STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2NA60 600 V

 9.1. Size:184K  st
 stk2n60.pdf

STK2NA60 STK2NA60

STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2N80 800 V

 9.2. Size:178K  st
 stk2n60-.pdf

STK2NA60 STK2NA60

STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2NA60 600 V

 9.3. Size:316K  st
 stk2n80.pdf

STK2NA60 STK2NA60

STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2N80 800 V

Другие MOSFET... STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , STK2N50 , STK2N80 , IRFB4115 , STK3055E , STK3N50 , STK3NA50 , STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L , STK4N40 , STK6N20 .

 

 
Back to Top