STK2NA60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STK2NA60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: SOT82
Аналог (замена) для STK2NA60
STK2NA60 Datasheet (PDF)
stk2na60.pdf

STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2NA60 600 V
stk2n60.pdf

STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2N80 800 V
stk2n60-.pdf

STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2NA60 600 V
stk2n80.pdf

STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2N80 800 V
Другие MOSFET... STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , STK2N50 , STK2N80 , IRFB4110 , STK3055E , STK3N50 , STK3NA50 , STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L , STK4N40 , STK6N20 .
History: STH9N80 | STK14N05 | STK12N06L | IRLW520A
History: STH9N80 | STK14N05 | STK12N06L | IRLW520A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115