LSI1012LT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LSI1012LT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: SOT23

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LSI1012LT1G datasheet

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LSI1012LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LSI1012LT1G N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET S-LSI1012LT1G FEATURES 3 D TrenchFETr Power MOSFET 1.8-V Rated D Gate-Source ESD Protected D High-Side Switching 1 D Low On-Resistance 0.7 W D Low Threshold 0.8 V (typ) 2 D Fast Switching Speed 10 ns D S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT-23 Unique Site and Control Change Requiremen

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LSI1012LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET LSI1012XT1G FEATURES D TrenchFETr Power MOSFET 1.8-V Rated D Gate-Source ESD Protected 2000 V D High-Side Switching D Low On-Resistance 0.7 W D Low Threshold 0.8 V (typ) D Fast Switching Speed 10 ns SC-89 BENEFITS D Ease in Driving Switches D Low Offset (Error) Voltage Gate 1 D Low-Voltage Operation D High-Speed Circui

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