LSI1012LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LSI1012LT1G
Código: A2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 VQgⓘ - Carga de la puerta: 0.75 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
LSI1012LT1G Datasheet (PDF)
lsi1012lt1g s-lsi1012lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LSI1012LT1GN-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETS-LSI1012LT1GFEATURES3D TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V RatedD Gate-Source ESD ProtectedD High-Side Switching1D Low On-Resistance: 0.7 WD Low Threshold: 0.8 V (typ)2D Fast Switching Speed: 10 nsD S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT-23Unique Site and Control Change Requiremen
lsi1012xt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETLSI1012XT1GFEATURESD TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V RatedD Gate-Source ESD Protected: 2000 VD High-Side SwitchingD Low On-Resistance: 0.7 WD Low Threshold: 0.8 V (typ)D Fast Switching Speed: 10 nsSC-89BENEFITSD Ease in Driving SwitchesD Low Offset (Error) VoltageGate 1D Low-Voltage OperationD High-Speed Circui
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History: P7004EV | AP30T10GS | NCE80T420F | PV6A4BA | RU206G | FCAB21490L1 | SLF60R160S2
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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