Справочник MOSFET. LSI1012LT1G

 

LSI1012LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSI1012LT1G
   Маркировка: A2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.75 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для LSI1012LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSI1012LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  lrc
 lsi1012lt1g s-lsi1012lt1g.pdf pdf_icon

LSI1012LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LSI1012LT1GN-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETS-LSI1012LT1GFEATURES3D TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V RatedD Gate-Source ESD ProtectedD High-Side Switching1D Low On-Resistance: 0.7 WD Low Threshold: 0.8 V (typ)2D Fast Switching Speed: 10 nsD S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT-23Unique Site and Control Change Requiremen

 7.1. Size:248K  lrc
 lsi1012xt1g.pdf pdf_icon

LSI1012LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETLSI1012XT1GFEATURESD TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V RatedD Gate-Source ESD Protected: 2000 VD High-Side SwitchingD Low On-Resistance: 0.7 WD Low Threshold: 0.8 V (typ)D Fast Switching Speed: 10 nsSC-89BENEFITSD Ease in Driving SwitchesD Low Offset (Error) VoltageGate 1D Low-Voltage OperationD High-Speed Circui

Другие MOSFET... LP2309LT3G , LP2501DT1G , LP3218DT1G , S-LP3407LT1G , LP3415ELT1G , S-LP3415ELT1G , S-LP4101LT1G , LRC6N33YT1G , IRF3205 , S-LSI1012LT1G , S-SRK7002LT1G , 2N65F , 2N65E , 2N65D , 2N65N , 2N65M , 5N65D .

History: SMC3415A

 

 
Back to Top

 


 
.