LSI1012LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSI1012LT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для LSI1012LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSI1012LT1G даташит

 ..1. Size:477K  lrc
 lsi1012lt1g s-lsi1012lt1g.pdf pdf_icon

LSI1012LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LSI1012LT1G N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET S-LSI1012LT1G FEATURES 3 D TrenchFETr Power MOSFET 1.8-V Rated D Gate-Source ESD Protected D High-Side Switching 1 D Low On-Resistance 0.7 W D Low Threshold 0.8 V (typ) 2 D Fast Switching Speed 10 ns D S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT-23 Unique Site and Control Change Requiremen

 7.1. Size:248K  lrc
 lsi1012xt1g.pdf pdf_icon

LSI1012LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET LSI1012XT1G FEATURES D TrenchFETr Power MOSFET 1.8-V Rated D Gate-Source ESD Protected 2000 V D High-Side Switching D Low On-Resistance 0.7 W D Low Threshold 0.8 V (typ) D Fast Switching Speed 10 ns SC-89 BENEFITS D Ease in Driving Switches D Low Offset (Error) Voltage Gate 1 D Low-Voltage Operation D High-Speed Circui

Другие IGBT... LP2309LT3G, LP2501DT1G, LP3218DT1G, S-LP3407LT1G, LP3415ELT1G, S-LP3415ELT1G, S-LP4101LT1G, LRC6N33YT1G, IRF3205, S-LSI1012LT1G, S-SRK7002LT1G, 2N65F, 2N65E, 2N65D, 2N65N, 2N65M, 5N65D