S-LSI1012LT1G Todos los transistores

 

S-LSI1012LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: S-LSI1012LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de S-LSI1012LT1G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

S-LSI1012LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  lrc
 lsi1012lt1g s-lsi1012lt1g.pdf pdf_icon

S-LSI1012LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LSI1012LT1GN-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETS-LSI1012LT1GFEATURES3D TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V RatedD Gate-Source ESD ProtectedD High-Side Switching1D Low On-Resistance: 0.7 WD Low Threshold: 0.8 V (typ)2D Fast Switching Speed: 10 nsD S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT-23Unique Site and Control Change Requiremen

Otros transistores... LP2501DT1G , LP3218DT1G , S-LP3407LT1G , LP3415ELT1G , S-LP3415ELT1G , S-LP4101LT1G , LRC6N33YT1G , LSI1012LT1G , IRF740 , S-SRK7002LT1G , 2N65F , 2N65E , 2N65D , 2N65N , 2N65M , 5N65D , 5N65E .

History: EV3407 | DH012N03I | S8045R | AOB450A70L | 2SK4076-ZK

 

 
Back to Top

 


 
.