S-LSI1012LT1G Todos los transistores

 

S-LSI1012LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: S-LSI1012LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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S-LSI1012LT1G Datasheet (PDF)

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 lsi1012lt1g s-lsi1012lt1g.pdf pdf_icon

S-LSI1012LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LSI1012LT1GN-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETS-LSI1012LT1GFEATURES3D TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V RatedD Gate-Source ESD ProtectedD High-Side Switching1D Low On-Resistance: 0.7 WD Low Threshold: 0.8 V (typ)2D Fast Switching Speed: 10 nsD S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT-23Unique Site and Control Change Requiremen

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History: CHM9935AJGP | 8N80G-TF1-T | IRFU9220PBF | VBMB165R20 | UTT75N08 | 2SK2495 | AM40P03-20D

 

 
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