Справочник MOSFET. S-LSI1012LT1G

 

S-LSI1012LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: S-LSI1012LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для S-LSI1012LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S-LSI1012LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  lrc
 lsi1012lt1g s-lsi1012lt1g.pdf pdf_icon

S-LSI1012LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LSI1012LT1GN-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETS-LSI1012LT1GFEATURES3D TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V RatedD Gate-Source ESD ProtectedD High-Side Switching1D Low On-Resistance: 0.7 WD Low Threshold: 0.8 V (typ)2D Fast Switching Speed: 10 nsD S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT-23Unique Site and Control Change Requiremen

Другие MOSFET... LP2501DT1G , LP3218DT1G , S-LP3407LT1G , LP3415ELT1G , S-LP3415ELT1G , S-LP4101LT1G , LRC6N33YT1G , LSI1012LT1G , IRF740 , S-SRK7002LT1G , 2N65F , 2N65E , 2N65D , 2N65N , 2N65M , 5N65D , 5N65E .

History: 2SJ332L | CEB75N06 | 2SJ476-01S | 2SK2359 | STW15N80K5 | HGI110N08AL | CPH6354

 

 
Back to Top

 


 
.