2N65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N65N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
2N65N Datasheet (PDF)
2n65 2n65f 2n65e 2n65d 2n65n 2n65m.pdf

R2N65S E M I C O N D U C T O R650V N-Channel Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYRDS(ON)
svf2n65f svf2n65n svf2n65mj svf2n65d.pdf

SVF2N65F/N/MJ/D 2A650V N SVF2N65F/N/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: APT5016BFLL | CS2N70HD | CTD04N004 | 2SK3789-01R | NCE60ND03N | BLP042N15J-B | AP6679GS-A
History: APT5016BFLL | CS2N70HD | CTD04N004 | 2SK3789-01R | NCE60ND03N | BLP042N15J-B | AP6679GS-A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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