2N65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N65N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 34 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 5.7 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N65N
2N65N Datasheet (PDF)
..1. Size:143K jh
2n65 2n65f 2n65e 2n65d 2n65n 2n65m.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2n65 2n65f 2n65e 2n65d 2n65n 2n65m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
R2N65S E M I C O N D U C T O R650V N-Channel Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYRDS(ON)
0.1. Size:479K silan
svf2n65f svf2n65n svf2n65mj svf2n65d.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svf2n65f svf2n65n svf2n65mj svf2n65d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF2N65F/N/MJ/D 2A650V N SVF2N65F/N/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .