2N65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N65N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de 2N65N MOSFET
2N65N Datasheet (PDF)
2n65 2n65f 2n65e 2n65d 2n65n 2n65m.pdf

R2N65S E M I C O N D U C T O R650V N-Channel Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYRDS(ON)
svf2n65f svf2n65n svf2n65mj svf2n65d.pdf

SVF2N65F/N/MJ/D 2A650V N SVF2N65F/N/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS
Otros transistores... S-LP4101LT1G , LRC6N33YT1G , LSI1012LT1G , S-LSI1012LT1G , S-SRK7002LT1G , 2N65F , 2N65E , 2N65D , 50N06 , 2N65M , 5N65D , 5N65E , 5N65M , 5N65N , 6N65F , 6N65D , LNB10R040W3 .
History: S68N08ZRP | GSM4946W



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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