2N65N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N65N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для 2N65N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N65N даташит

 ..1. Size:143K  jh
 2n65 2n65f 2n65e 2n65d 2n65n 2n65m.pdf pdf_icon

2N65N

R 2N65 S E M I C O N D U C T O R 650V N-Channel Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(ON)

 0.1. Size:479K  silan
 svf2n65f svf2n65n svf2n65mj svf2n65d.pdf pdf_icon

2N65N

SVF2N65F/N/MJ/D 2A 650V N SVF2N65F/N/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS

Другие IGBT... S-LP4101LT1G, LRC6N33YT1G, LSI1012LT1G, S-LSI1012LT1G, S-SRK7002LT1G, 2N65F, 2N65E, 2N65D, 50N06, 2N65M, 5N65D, 5N65E, 5N65M, 5N65N, 6N65F, 6N65D, LNB10R040W3