5N65E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 5N65E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm

Encapsulados: TO262

 Búsqueda de reemplazo de 5N65E MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

5N65E datasheet

 ..1. Size:1255K  jh
5n65 5n65f 5n65d 5n65e 5n65m 5n65n.pdf pdf_icon

5N65E

R 5N65 5N65F 5N65D 5N65E 5N65M 5N65N S E M I C O N D U C T O R 650V N-Channel Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(ON)

 0.1. Size:160K  vishay
sihf15n65e.pdf pdf_icon

5N65E

SiHF15N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Available Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.28 Reduced switching and conduction losses Available Qg max. (nC) 96 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 11 Avalanche energy rated (U

 0.2. Size:165K  vishay
sihp15n65e.pdf pdf_icon

5N65E

SiHP15N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Available Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.28 Reduced switching and conduction losses Available Qg max. (nC) 96 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 11 Avalanche energy rated (U

 0.3. Size:206K  vishay
sihb15n65e.pdf pdf_icon

5N65E

SiHB15N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.28 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 96 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 11 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 21

Otros transistores... S-LSI1012LT1G, S-SRK7002LT1G, 2N65F, 2N65E, 2N65D, 2N65N, 2N65M, 5N65D, IRF640, 5N65M, 5N65N, 6N65F, 6N65D, LNB10R040W3, LNB20N60, LNB20N65, LNB4N80