6N65D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 6N65D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO262

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6N65D datasheet

 ..1. Size:431K  jh
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6N65D

6N65 JH 650V N-Channel Power MOSFET S E M I C O N D U C T O R FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(ON)

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6N65D

 0.2. Size:596K  st
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6N65D

STW56N65DM2 N-channel 650 V, 0.058 typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STW56N65DM2 650 V 0.065 48 A 360 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2 capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extre

 0.3. Size:264K  st
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6N65D

STP26N65DM2 Datasheet N-channel 650 V, 0.156 typ., 20 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code TAB STP26N65DM2 650 V 0.190 20 A 170 W Fast-recovery body diode 3 2 Extremely low gate charge and input capacitance 1 Low on-resistance TO-220 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness D(2, T

Otros transistores... 2N65D, 2N65N, 2N65M, 5N65D, 5N65E, 5N65M, 5N65N, 6N65F, IRF640N, LNB10R040W3, LNB20N60, LNB20N65, LNB4N80, LNC045R090, LNC04R035B, LNC04R050, LNC06R062